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    Leistungsstarke EE-PLDBeschreibung:Der Atmel® ATF16V8B(QL) ist ein hochleistungsfähiges CMOS Electrically-Erasable Programmable Logic Device (EE PLD), das die bewährte elektrisch löschbare Flash-Speichertechnologie von Atmel nutzt. Alle Geschwindigkeitsbereiche sind über den gesamten Bereich von 5,0V +/- 10% für den industriellen Temperaturbereich spezifiziert. Der ATF16V8BQL bietet eine flankenempfindliche Low-Power-PLD-Lösung mit niedrigem Standby-Stromverbrauch (typisch 5 mA). Der ATF16V8BQL schaltet sich durch die ITD-Schaltung (Input Transition Detection) automatisch in den Low-Power-Modus herunter, wenn sich das Gerät im Leerlauf befindet. Der ATF16V8B(QL) enthält einen Supersatz der generischen Architekturen, der den direkten Ersatz der 16R8-Familie und der meisten kombinatorischen 20-Pin-PLDs ermöglicht. Acht Ausgängen sind jeweils acht Produktbegriffe zugeordnet. Drei verschiedene Betriebsmodi, die mit Software automatisch konfiguriert werden, ermöglichen die Realisierung hochkomplexer Logikfunktionen.Merkmale:• Architektur nach Industriestandard- Emuliert viele 20-polige PALs®- Kostengünstige, benutzerfreundliche Software-Tools• Elektrisch löschbare programmierbare Logikbausteine mit hoher Geschwindigkeit- 10ns Maximale Pin-zu-Pin-Verzögerung• Automatischer 5mA-Standby für ATF16V8BQL• CMOS- und TTL-kompatible Ein- und Ausgänge- Eingangs- und E/A-Pull-up-Widerstände• Fortgeschrittene Flash-Technologie- Umprogrammierbar- 100% getestet• Hochzuverlässiger CMOS-Prozess- 20 Jahre Datenaufbewahrung- 100 Lösch-/Schreibzyklen- 2.000V ESD-Schutz- 200mA Latchup-Immunität• Industrieller Temperaturbereich• Dual-in-line und oberflächenmontierbare Gehäuse in Standard-Pinouts• PCI-konform• Grüne Paketoptionen (Pb/Haltbarkeitsfrei/RoHS-konform)
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    Leistungsstarke EE-PLDBeschreibung:Der Atmel® ATF16V8B(QL) ist ein hochleistungsfähiges CMOS Electrically-Erasable Programmable Logic Device (EE PLD), das die bewährte elektrisch löschbare Flash-Speichertechnologie von Atmel nutzt. Alle Geschwindigkeitsbereiche sind über den gesamten Bereich von 5,0V +/- 10% für den industriellen Temperaturbereich spezifiziert. Der ATF16V8BQL bietet eine flankenempfindliche Low-Power-PLD-Lösung mit niedrigem Standby-Stromverbrauch (typisch 5 mA). Der ATF16V8BQL schaltet sich durch die ITD-Schaltung (Input Transition Detection) automatisch in den Low-Power-Modus herunter, wenn sich das Gerät im Leerlauf befindet. Der ATF16V8B(QL) enthält einen Supersatz der generischen Architekturen, der den direkten Ersatz der 16R8-Familie und der meisten kombinatorischen 20-Pin-PLDs ermöglicht. Acht Ausgängen sind jeweils acht Produktbegriffe zugeordnet. Drei verschiedene Betriebsmodi, die mit Software automatisch konfiguriert werden, ermöglichen die Realisierung hochkomplexer Logikfunktionen.Merkmale:• Architektur nach Industriestandard- Emuliert viele 20-polige PALs®- Kostengünstige, benutzerfreundliche Software-Tools• Elektrisch löschbare programmierbare Logikbausteine mit hoher Geschwindigkeit- 10ns Maximale Pin-zu-Pin-Verzögerung• Automatischer 5mA-Standby für ATF16V8BQL• CMOS- und TTL-kompatible Ein- und Ausgänge- Eingangs- und E/A-Pull-up-Widerstände• Fortgeschrittene Flash-Technologie- Umprogrammierbar- 100% getestet• Hochzuverlässiger CMOS-Prozess- 20 Jahre Datenaufbewahrung- 100 Lösch-/Schreibzyklen- 2.000V ESD-Schutz- 200mA Latchup-Immunität• Industrieller Temperaturbereich• Dual-in-line und oberflächenmontierbare Gehäuse in Standard-Pinouts• PCI-konform• Grüne Paketoptionen (Pb/Haltbarkeitsfrei/RoHS-konform)
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    Symmetry Properties in Transmission Lines Loaded with Electrically Small Resonators ab 106.99 € als pdf eBook: Circuit Modeling and Applications. Aus dem Bereich: eBooks, Sachthemen & Ratgeber, Technik,
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    Symmetry Properties in Transmission Lines Loaded with Electrically Small Resonators ab 149.99 € als gebundene Ausgabe: Circuit Modeling and Applications. 1st ed. 2016. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Technik,
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    64-Kbit serieller I²C-Bus EEPROMBeschreibungDer M24C64 ist ein 64-Kbit I2C-kompatibler EEPROM (Electrically Erasable PROgrammable Memory), der als 8 K × 8 Bit organisiert ist. Über einen Umgebungstemperaturbereich von -40 °C / +85 °C kann der M24C64-W mit einer Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V, der M24C64-R mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 5,5 V und der M24C64-F und M24C64-DF mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 5,5 V betrieben werden (der M24C64-F kann unter einigen einschränkenden Bedingungen auch bis zu 1,6 V arbeiten). Der M24C64-D bietet eine zusätzliche Seite, die sogenannte Identifikationsseite (32 Byte). Die Identifikationsseite kann dazu verwendet werden, sensible Anwendungsparameter zu speichern, die (später) im Nur-Lese-Modus dauerhaft gesperrt werden können.Merkmale:• Kompatibel mit allen I2C-Bus-Modi:- 1 MHz- 400 kHz- 100 kHz• Speicher-Array:- 64 kbit (8 kbyte) EEPROM- Seitengröße: 32 Byte- Zusätzliche schreibsperrbare Seite (M24C64-D Bestellcodes)• Einfache Versorgungsspannung:- 1,7 V bis 5,5 V über -40 °C / +85 °C- 1,6 V bis 5,5 V über 0 °C / +85 °C• Schreiben :- Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms- Seitenschreiben innerhalb von 5 ms• Zufällige und sequentielle Lesemodi• Schreibschutz für den gesamten Speicherbereich• Erweiterter ESD-/Latch-Up-Schutz• Mehr als 4 Millionen Schreibzyklen• Mehr als 200-jährige DatenspeicherungBauformen• PDIP8 ECOPACK2®• SO8 ECOPACK2®• TSSOP8 ECOPACK2®• UFDFPN ECOPACK2®• WLCSP ECOPACK2®• Ungesägter Wafer (jeder Die wird getestet)
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    Finite-Difference-Frequency-Domain Simulation of Electrically Large Microwave Structures using PML and Internal Ports ab 13.3 € als pdf eBook: . Aus dem Bereich: eBooks, Belletristik, Erzählungen,
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    Symmetry Properties in Transmission Lines Loaded with Electrically Small Resonators ab 109.99 € als Taschenbuch: Circuit Modeling and Applications. Softcover reprint of the original 1st ed. 2016. Aus dem Bereich: Bücher, Taschenbücher, Naturwissenschaft,
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    PRODUCT DESCRIPTIONThe GLS27SF512/010/020 are a 64K x8 / 128K x8 / 256Kx8 CMOS, many-Time Programmable (MTP) low cost flash, manufactured with high performance SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. These MTP devices can be electrically erased and programmed at least 1000 times using an external programmer with a 12V power supply. They have to be erased prior to programming. Thesedevices conform to JEDEC standard pinouts for byte-widememories. Featuring high-performance Byte-Program, theGLS27SF512/010/020 provide a Byte-Program time of 20ìs. Designed, manufactured, and tested for a wide spectrumof applications, these devices are offered with an endurance of at least 1000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.FEATURES:• Organized as 64K x8 / 128K x8 / 256K x8• 4.5-5.5V Read Operation• Superior Reliability– Endurance: At least 1000 Cycles– Greater than 100 years Data Retention• Low Power Consumption– Active Current: 20 mA (typical)– Standby Current: 10 ìA (typical)• Fast Read Access Time– 70 ns• Fast Byte-Program Operation– Byte-Program Time: 20 ìs (typical)– Chip Program Time:1.4 seconds (typical) for GLS27SF5122.8 seconds (typical) for GLS27SF0105.6 seconds (typical) for GLS27SF020• Electrical Erase Using Programmer– Does not require UV source– Chip-Erase Time: 100 ms (typical)• TTL I/O Compatibility• JEDEC Standard Byte-wide EPROM Pinouts• Packages Available– 32-lead PLCC– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)– 32-pin PDIP for GLS27SF010/020• All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant
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    PRODUCT DESCRIPTIONThe GLS27SF512/010/020 are a 64K x8 / 128K x8 / 256Kx8 CMOS, many-Time Programmable (MTP) low cost flash, manufactured with high performance SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. These MTP devices can be electrically erased and programmed at least 1000 times using an external programmer with a 12V power supply. They have to be erased prior to programming. Thesedevices conform to JEDEC standard pinouts for byte-widememories. Featuring high-performance Byte-Program, theGLS27SF512/010/020 provide a Byte-Program time of 20ìs. Designed, manufactured, and tested for a wide spectrumof applications, these devices are offered with an endurance of at least 1000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.FEATURES:• Organized as 64K x8 / 128K x8 / 256K x8• 4.5-5.5V Read Operation• Superior Reliability– Endurance: At least 1000 Cycles– Greater than 100 years Data Retention• Low Power Consumption– Active Current: 20 mA (typical)– Standby Current: 10 ìA (typical)• Fast Read Access Time– 70 ns• Fast Byte-Program Operation– Byte-Program Time: 20 ìs (typical)– Chip Program Time:1.4 seconds (typical) for GLS27SF5122.8 seconds (typical) for GLS27SF0105.6 seconds (typical) for GLS27SF020• Electrical Erase Using Programmer– Does not require UV source– Chip-Erase Time: 100 ms (typical)• TTL I/O Compatibility• JEDEC Standard Byte-wide EPROM Pinouts• Packages Available– 32-lead PLCC– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)– 32-pin PDIP for GLS27SF010/020• All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant
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    32-Kbit serieller I²C-Bus EEPROMBeschreibungDer M24C32 ist ein 32-Kbit I2C-kompatibler EEPROM (Electrically Erasable PROgrammable Memory), der als 4 K × 8 Bit organisiert ist. Der M24C32-W kann mit einer Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V betrieben werden, der M24C32-R kann mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 5,5 V betrieben werden, und der M24C32-F und M24C32-DF können mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 5,5 V über einen Umgebungstemperaturbereich von -40 °C / +85 °C betrieben werden; während der M24C32-X mit einer Versorgungsspannung von 1,6 V bis 5,5 V über einen Umgebungstemperaturbereich von -20 °C / +85 °C betrieben werden kann. Der M24C32-D bietet eine zusätzliche Seite, die sogenannte Identifikationsseite (32 Byte). Die Identifikationsseite kann zur Speicherung sensibler Anwendungsparameter verwendet werden, die (später) im Nur-Lese-Modus dauerhaft gesperrt werden können.Merkmale• Kompatibel mit allen I2C-Bus-Modi:- 1 MHz- 400 kHz- 100 kHz• Speicher-Array:- 32 kbit (4 kbyte) EEPROM- Seitengröße: 32 Byte- Zusätzliche Seite mit Schreibsperre(M24C32-D Auftragscodes)• Einfache Versorgungsspannung:- 1,7 V bis 5,5 V über -40 °C / +85 °C- 1,6 V bis 5,5 V über -20 °C / +85 °C• Schreiben Sie:- Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms- Seitenschreiben innerhalb von 5 ms• Zufällige und sequentielle Lesemodi• Schreibschutz für den gesamten Speicherbereich• Erweiterter ESD-/Latch-Up-Schutz• Mehr als 4 Millionen Schreibzyklen• Mehr als 200-jährige DatenspeicherungGehäuse• PDIP8 ECOPACK1®• SO8 ECOPACK2®• TSSOP8 ECOPACK2®• UFDFPN8 ECOPACK2®• WLCSP ECOPACK2®• UFDFPN5 ECOPACK2®• Ungesägter Wafer (jeder Die wird getestet)
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