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  IRFP 260N - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 50 A, Rds(on) 0,04 Ohm, TO-247AC

  IRFP260NPbFHEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier/Infineon nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen eingesetzt, bei denen höhere Leistungen die Verwendung von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO-247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständige Avalanche-Bewertung• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Bleifrei

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  IRF 4905 - MOSFET, P-Kanal, -55 V, -74 A, RDS(on) 0.02 Ohm, TO-220AB

  IRF4905PbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung bis etwa 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO- 220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei.Eigenschaften:- Fortschrittliche Prozesstechnologie- Extrem niedriger On-Widerstand- Dynamische dv/dt Bewertung- 175°C Betriebstemperatur- Schnelles Schalten- P-Kanal- Vollständig Avalanche tauglich- Bleifrei

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  IRFZ 44N - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 49 A, RDS(on) 0,0175 Ohm, TO-220AB

  IRFZ44NPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständig Avalanche-geeignet• Bleifrei

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  IRFZ44VPBF - MOSFET N-Kanal, 60 V, 55 A, RDS(on) 0,0165 Ohm, TO220AB

  IRFZ44VPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständig Avalanche-geeignet• Optimiert für SMPS-Anwendungen• Bleifrei

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  BQT BN317 - be quiet! Pure Power 11 FM 550W

  AUSSERORDENTLICH LEISE, ÜBERLEGENE FEATURESPure Power 11 FM 550W steht für unvergleichliche Zuverlässigkeit und erstklassige Features wie modulares Kabelmanagement. Ob für die Konfiguration eines leisen Systems, die Aufrüstung eines bestehenden PCs oder den Bau eines Gaming-Systems mit leistungsstarker Grafikkarte: Pure Power 11 FM 550W bietet die bestmögliche Kombination von Features zum äußerst attraktiven Preis.80 PLUS® Gold Effizienz (von bis zu 93,5%)Modulare Kabel für maximale FlexibilitätZwei starke 12V-LeitungenGeräuschoptimierter 120mm be quiet! Lüfter sorgt für einen außerordentlich leisen BetriebUnübertroffene Signalstabilität und starke Spannungsregulierung dank LLC, Synchronous Rectifier (SR) und DC/DC-Wandler2 PCIe-Anschlüsse für leistungsstarke GPUsUmfassender Schutz der wertvollen PC-KomponentenErfüllt die aktuellen Intel® C6/C7, ErP und Energy Star RichtlinienUnterstützt die neuesten Intel® und AMD™ ProzessorenProduktkonzeption, Design und Qualitätskontrolle in Deutschland

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  BQT BN318 - be quiet! Pure Power 11 FM 650W

  AUSSERORDENTLICH LEISE, ÜBERLEGENE FEATURESPure Power 11 FM 650W steht für unvergleichliche Zuverlässigkeit und erstklassige Features wie modulares Kabelmanagement. Ob für die Konfiguration eines leisen Systems, die Aufrüstung eines bestehenden PCs oder den Bau eines Gaming-Systems mit leistungsstarker Grafikkarte: Pure Power 11 FM 650W bietet die bestmögliche Kombination von Features zum äußerst attraktiven Preis.80 PLUS® Gold Effizienz (von bis zu 93,3%)Modulare Kabel für maximale FlexibilitätZwei starke 12V-LeitungenGeräuschoptimierter 120mm be quiet! Lüfter sorgt für einen außerordentlich leisen BetriebUnübertroffene Signalstabilität und starke Spannungsregulierung dank LLC, Synchronous Rectifier (SR) und DC/DC-Wandler4 PCIe-Anschlüsse für leistungsstarke GPUsUmfassender Schutz der wertvollen PC-KomponentenErfüllt die aktuellen Intel® C6/C7, ErP und Energy Star RichtlinienUnterstützt die neuesten Intel® und AMD™ ProzessorenProduktkonzeption, Design und Qualitätskontrolle in Deutschland

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  BQT BN319 - be quiet! Pure Power 11 FM 750W

  AUSSERORDENTLICH LEISE, ÜBERLEGENE FEATURESPure Power 11 FM 750W steht für unvergleichliche Zuverlässigkeit und erstklassige Features wie modulares Kabelmanagement. Ob für die Konfiguration eines leisen Systems, die Aufrüstung eines bestehenden PCs oder den Bau eines Gaming-Systems mit übertakteter High-End Grafikkarte: Pure Power 11 FM 750W bietet die bestmögliche Kombination von Features zum äußerst attraktiven Preis.80 PLUS® Gold Effizienz (von bis zu 93,9%)Modulare Kabel für maximale FlexibilitätZwei starke 12V-LeitungenGeräuschoptimierter 120mm be quiet! Lüfter sorgt für einen außerordentlich leisen BetriebUnübertroffene Signalstabilität und starke Spannungsregulierung dank LLC, Synchronous Rectifier (SR) und DC/DC-Wandler4 PCIe-Anschlüsse für übertaktete High-End GPUsUmfassender Schutz der wertvollen PC-KomponentenErfüllt die aktuellen Intel® C6/C7, ErP und Energy Star RichtlinienUnterstützt die neuesten Intel® und AMD™ ProzessorenProduktkonzeption, Design und Qualitätskontrolle in Deutschland

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  IRFL 014N - MOSFET, N-Kanal, 55V, 1,9A, 0,16R, SOT-223

  HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungDie HEXFET®-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SOT-223-Gehäuse ist für die Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt. Sein einzigartiges Gehäusedesign ermöglicht eine einfache automatische Bestückung wie bei anderen SOT- oder SOIC-Gehäusen, hat aber den zusätzlichen Vorteil einer verbesserten thermischen Leistung durch eine vergrößerte Lasche zur Wärmeableitung. In einer typischen Oberflächenmontage-Anwendung ist eine Verlustleistung von 1,0 W möglich.Merkmale• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger On-Widerstand• Dynamische dv/dt Bewertung• Schnelles Umschalten• Vollständig lawinentauglich• Bleifrei

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  IRF 640NS - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,15 Ohm, D2-PAK

  IRF640NSPbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständig Avalanche-geeignet• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Bleifrei

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  IRF3710SPBF - MOSFET N-Kanal, 100 V, 57 A, RDS(on) 0,023 Ohm, D²Pak

  IRF3710S , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Die-Größen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständig Avalanche-geeignet• Bleifrei

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